Учени от IBM осъществиха пробив в полупроводниковата технология, създавайки силициев чип с въглеродни нанотръби. Разработката е дело на изследователи от T.J. Watson Research Center в Йорктаун Хейтс, щата Ню Йорк, предаде Уол Стрийт Джърнъл.
На повърхността на обикновена силициева пластина, използвана в полупроводниковата индустрия, учените са поставили масив от въглеродни нанотръби. В резултат на това е получен хибриден чип с над 100 хиляди транзистора.
Изследователите на IBM определят своята разработка като пробив в конструирането на полупроводникови компоненти, тъй като са намерили начин за увеличаване на плътността на транзисторите в чипа за десетки години напред.
В последния половин век полупроводниковата индустрия се развива по законите на един от основателите на Intel – Гордън Мур, който през 1965 г. дефинира правилото, че броят на транзисторите в чипа се удвоява на всеки две години. Много учени обаче се съмняват, че законът на Мур ще продължи да действа след смяната на две или три поколения чипове, т.е. след около едно десетилетие.
Разработката на IBM опровергава скептиците. Според Събхасиш Митра, професор в Станфордския университет, новият материал ще позволи не само да бъде намален размерът на транзисторите, но и да бъде увеличена скоростта им на работа.
Транзисторите на основана на силициеви нанотръби превъзхождат по скорост останалите транзистори, изпълнени от други материали, потвърждава Супратик Гуха, учен от IBM. Според него, скоростта на работа на транзисторите с нанотръби е с повече от 5 пъти по-висока от тази на съвременните транзистори.
Перспективен материал за транзистори е и графенът. Изследователите на IBM обаче отдават предпочитание на силициевите нанотръби. Предимството е, че подобни транзистори са по-лесни за производство в промишлени мащаби.
IBM са номер 1!