За първи път учените от IBM демонстрират надеждно съхранение на три бита в клетка памет PCM
Изследователи от IBM Research създадоха памет с променливо фазово състояние (PCM), която може да съхранява три бита в клетка.
Разработката може да промени пазара на памети, където в момента доминират технологиите DRAM и NAND. За първи път учените от IBM демонстрират надеждно съхранение на три бита в клетка PCM.
Подобна памет увеличава рязко плътността на съхранение, в резултат на което се намалява цената за съхранение на един бит. Според специалистите от IBM, паметта PCM може да се ползва самостоятелно и в състава на хибридни конфигурации заедно с флаш памет.
При PCM на едно от логическите нива съответства аморфно състояние на веществото, на друго – кристално, а на трето – ниско, с висока проводимост. Това е енергонезависима памет, т.е. може да съхранява информация без захранване.
В сравнение с флаш паметите, PCM се отличава с по-голямо бързодействие и по-дълъг живот. Броят на циклите на презапис е не по-малък от 10 млн., докато при флаш паметите, използвани в USB носителите, например, този показател е около 3000.
Когато PCM се използва в хибридна конфигурация заедно с флаш памет, тя може да играе ролята на високоскоростен буфер. Освен това новата памет е подходяща за използване и напълно самостоятелно.
Прехода не е толкова внезапен от кристализирано в аморфно състояние и обратно.
Така че с повече усилия биха могли да достигна дори по-високо ниво и плътност на кодиране на битове.
Хора пишете на кирилица, а не маймуница!
Проверих за паметта PCM или памет с фазов преход базовите състояния са две аморфно кристално състояние на материала. Тоест 0 или 1. Но са намерили нова функция метрика (eM metric), която дава 8 ясно различими нива или състояния, което в крайна сметка може да се ползва за кодиране на 3 бита. Тоест 2^3 = 8 всичко е точно и ясно. 🙂
To deal help to deal with these problem IBM developed a new metric for the measurement of the cell levels, it is called the eM metric and has now applied it as part of the 3bit/cell (8 levels) solution.
a i kato gledam shemata 3bita v kletka ne mogat da se sahranqt tai kato edna kletka moje da e samo v edno sastoqnie
t.e. pri pametite s electichni zarqdi nalichieto i otsastvieto im opredelqt dve sastoqniq 0 i 1
a tuk bi trqbvalo da se govori za / troichen/ bit 1,0,2
vazmojno e satoqnieto 2 da se prieme kato kombinaciq ot bitove – 01,10,11,00
vaprosa beshe dali edno sastoqnie otgovarq za 1 bit sled kato v phazovata pamet nqma electricheski
zarqdi kakto e pri drugite pameti
Тук е 3^N, троична бройна система във вида 01212011
Точно обратното е. За N бита са нужни 2^N състояния. Т.е. за 3 бита са нужни 8 състояния.
abe ? moo li ako n sa satoqniqtq 2 na n stepen da sa bitovete deto sa sahranqvat
Три възможни състояния на всяка клетна не означава 3 бита. За да се съхранят 3 бита трябват 8 състояния. Три състояние съответсват на около 1.58 бита за клетка.