Излизат първите LPDDR5 памети за смартфони
Micron вече доставя на партньори чипове с капацитет 6, 8 и 12 GB
ULTRARAM разработка обещава универсална памет
Съчетава скоростта на DRAM и енергийната независимост на NAND
Иновативна памет съчетава предимствата на DRAM и NAND
Остава отворен единствено въпросът за дълготрайността на UK III-V
Създават транзистор с вградена FeRAM памет
За целта учените използват свойствата на алфа-индиев селенид
ReRAM паметта се придвижва към серийно производство
Израелска разработка привлича сериозен интерес от Южна Корея и Китай
Вентилатори охлаждат новата Optane памет на Intel
Сторидж модулите са способни да работят в няколко режима
Паметта ще се интегрира в процесорите, неизбежно
TSMC вярва, че законът на Мур ще живее поне до средата на века
Очакват „безпрецедентен” ценови скок при паметите
Япония ограничи износа на някои материали за Южна Корея
XPG Spectrix D60G – геймърска памет с уникални RGB светлини
Предлага повече осветление на кв.мм от всеки друг модул на пазара
Електростимулация на мозъка подобрява паметта
Ново проучване показва, че под въздействието на специално проектирани електроди възрастните хора се справят със задачи, свързани с помнене, досущ като 20-годишни
Toshiba пуска първата UFS 3.0 флаш памет
Теоретичната скорост на трансфер достига 11,6 Gbps по една линия
Оптична клетка памет съхранява пет бита
Важна стъпка към създаване на напълно оптичен компютър
Виртуалната реалност подобрява паметта
Хората винаги са използвали визуални методи за запаметяване на информация, а виртуалната реалност може да се превърне в следващата логична стъпка от прогреса
Samsung започва производство на вградена 256GB eUFS памет
Новото сторидж решение ще се използва в автомобилните системи