Учени от IBM разработват технология за съхранение на информация в течни нанотранзистори. Материалът, създаден в IBM Almaden Research Lab в Сан Хосе, Калифорния, се състои от наноканали, запълнени с електролит, съобщи Technology Review.com.
Ако на подобен материал се въздейства с електрически ток, това води до образуване на йонен слой, който променя проводимостта на материала. Процесът е обратим – материалът може да се привежда от проводимо в непроводимо състояние и обратно, като по този начин се записва нула или единица.
Течните нанотранзистори не се нуждаят от постоянно снабдяване с ток, за да съхраняват текущото си състояние, пояснява Стюарт Паркин, учен от IBM Research. За разлика от днешните транзистори, новият материал може да се превключи завинаги в едно от двете си състояния, без необходимост то да бъде поддържано.
Материал с подобно свойство позволява създаване на нови, по-ефективни логически устройства и компютърни памети. Освен това електронните схеми ще могат лесно да се препрограмират, за разлика от сегашните процесори, при които конфигурацията на каналите не може да се променя.
Недостатък на новата технология е сравнително бавният процес на превключване на течния транзистор от едно състояние в друго. Проблемът може да бъде решен чрез намаляване на размера на транзисторите и по-плътното им разполагане един до друг.
