Samsung започна серийно 10-нм FinFET производство

Samsung усвоява 10-нанометровия FinFET технологичен процес в производството на чипове

Foundry Business, подразделението на Samsung за полупроводници, започна серийно производство на 10-нанометрови чипове по технология FinFET от второ поколение. Новият технологичен процес се нарича 10LPP (Low Power Plus).

Чиповете, изготвени по 10LPP технология, превъзхождат тези, направени по 10-нм процес от първо поколение 10LPE (Low Power Early)  – с до 10% в производителността и до 15% в енергийната ефективност, съобщават от корейската компания.

Тъй като 10LPP се явява развитие на вече улегнал технологичен процес, Samsung е успял да постигне значително съкращаване на цикъла за усвояване на нови чипове, запазвайки висок процент на годната продукция в първите партиди.

Едночиповипи системи (SoC), произведени по технологичен процес 10LPP, ще се появяват в електронните устройства в началото на 2018 г. Новата линия S3 е готова да поеме търсенето на 10-нм чипове от страна на пазара, уверява производителят.

Междувременно, Samsung възлага на Foundry Business и задачата да усвои серийно производство по 7-нанометрова технология FinFET с използване на EUV (eкстремна ултравиолетова литография).

Коментар