TSMC, най-големият производител на чипове по поръчка, съобщи, че е завършил подготовката на първия си продукт, изготвен по 5-нанометров технологичен процес с частично използване на литография в крайния ултравиолетов диапазон (EUV).
През април следващата година тайванската компания ще започне рисково производство на 5-нанометрови чипове с пълно използване на EUV по технологичен процес N5. При него броят на слоевете, формирани с приложение на EUV, може да достигне 14.
Прилагайки EUV, чипмейкърът може да намали броя на маските, в сравнение с използваната в момента имерсионна литография с многократни шаблони, за да намали стойността на производството.
По оценки на TSMC, преходът към N5 ще позволи увеличение на скоростта с 14,7-17,7% и намаляване на площта на кристала с 1,8-1,86 пъти спрямо предходните технологични процеси. Тези резултати са получени при тестове с ядро ARM Cortex-A72.
Нещо повече, TSMC твърди, че вече е подготвила за производство микросхема за клиент по технологичен процес N7+, при който с използване на EUV могат да се формират до четири слоя.
N7+ се отличава от N7 по повишената плътност на разместване на металните проводници. Плътността на транзисторите при N7 е 16,8 пъти по-голяма, отколкото при 40-нм технологичен процес на TSMC.