(снимка: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited)
Тайванският чипмейкър TSMC е готов да започне пробно производство по 3-нанометрова технология. Процесът ще стартира до края на годината, а масовото производство е планирано за втората половина на 2021 г., според публикации в специализирани издания.
Предимството на 3-нм технология пред 5-нм процес е увеличената плътност на транзисторите с 15% и на производителността с 10-15%, като същевременно се намалява консумацията на енергия с 20-25%.
[related-posts]
Първата едночипова система (SoC), произведена по новата технология в заводите на TSMC, се очаква да бъде Apple A16, съобщи азиатският източник My Drives.
При преминаване към 3-нм производствен процес TSMC ще продължи да използва технология FinFET вместо да премине към GAA. Това ще му позволи да се придържа към същите дизайни на кристала, които се използват за 5-нм процесори и платформи.
Според експертите, така TSMC ще получи конкурентно предимство в борбата срещу Samsung – корейската компания е на път да премине към GAA технологията заедно с 3-нанометров технологичен процес. Предварителните прогнози сочат, че TSMC ще започне пилотно производство по 2-нанометрова GAAFET между 2023 и 2024 г.
По-рано тази година TSMC стартира масово производство на 5-нм SoC A14 и Kirin 1020 съответно за смартфоните на Apple и Huawei. Същевременно, производството на SoC Qualcomm Snapdragon 875 от висок клас и Snapdragon 735G от среден клас на база 5-нм технология се приписва на Samsung.
