Корейци пускат най-бързата, „турбо” памет за смартфони

Чипмейкърът SK Hynix предизвиква Samsung с най-бързата памет за мобилни устройства
(снимка: SK Hynix)

Южнокорейският производител SK Hynix обяви най-бързата памет за смартфони. Това е памет от типа LPDDR5T, където T означава „турбо”. Обещаната скорост за предаване на данните е 9,6 Gb/s

Новият продукт идва само два месеца след като Samsung обяви най-бързата LPDDR5X памет за мобилни устройства. LPDDR5T се явява последният етап от подготовката за преход към чипове LPDDR6. Прфиксът „T” (Turbo) в наименованието на новата памет подчертаване изключително високата ѝ скорост.

LPDDR5T е с 13% по-бърза от паметите LPDDR5X и ще отговори на нуждите на новите мобилни устройства – от смартфони до AR/VR хедсети, на приложенията с изкуствен интелект и на крайните AI решения под формата на роботи.

Скоростта на предаване на чиповете LPDDR5X, представени през октомври миналата година, достига 8,5 Gb/s на контакт. Декларираната скорост на LPDDR5T е 9,6 Gb/s на контакт. В същото време потреблението на чипа е увеличено незначително, което означава повишена енергийната ефективност, предвид по-високите скорости.

SK Hynix планира да започне масово производство на чипове LPDDR5T през втората половина на годината. Образци от чиповете вече са изпратени за тестване на много клиенти на компанията. Вероятно паметта LPDDR5T ще дебютира в готови продукти на CES 2024 и ще излезе на пазара през зимата и пролетта на следващата година.

Паметта LPDDR5T на SK Hynix е с 13% по-бърза от паметите LPDDR5X
(снимка: SK Hynix)

Паметите LPDDR5T се произвеждат по четвърто поколение на технология от клас 10 нанометра. За ключовите транзистори на клетките с памет се използва технологичен процес HKGM (High-K Metal Gate), добре познат от производството на процесори. Металните гейтове на транзисторите са изолирани с високо-диелектричен филм, който намалява утечката на ток, а това увеличава производителността на транзисторите и намалява тяхната консумация.

LPDDR5T чиповете се захранват от ултра-ниско напрежение, зададено от комисията на JEDEC за подобни памети – от 1,01 до 1,12 V. Преди появата на памети LPDDR6 вероятно няма да видим по-бърз продукт от LPDDR5T. Ще бъде интересно обаче как Samsung ще отговори на „турбо” предизвикателството на SK Hynix.