Новият CFET транзистор влиза в плановете на Intel за производство на чипове
(снимка: Toms’Hardware)
В бъдеще Intel ще използва многослойни трензистори CFET (или допълващи FET), съобщи главният мениджър по технологично развитие на компанията Ан Келехер по време на индустриалната конференция ITF World 2023 в Антверпен, Белгия.
Транзисторната CFET технология беше въведена за първи път от международния център за изследвания и разработки Imec през 2018 г. Тя вече е залегнала в плановете на Intel, но компанията все още не се ангажира с начален срок за производството на чипове с такива транзистори.
През 2024 г. Intel ще започне преход към RibbonFET – нанолистови транзистори с кръгъл гейт (nanosheet GAAFET). Те ще се произвеждат по технологичен процес Intel 20A и ще съдържат четири нанопласта, всеки от които е заобиколен от гейт.
По думите на Келехер, разработката на RibbonFET напредва по график – новите транзистори трябва да дебютират в производството на чипове през следващата година. RibbonFET технологията използва „заобикалящ” дизайн на гейта, за да увеличи плътността на транзистора и скоростта на преход от едно състояние в друго, без значителни жертви по отношение на консумацията на енергия.
CFET транзисторът ще има осем нанопласта, което е два пъти повече от RibbonFET. Това допълнително ще увеличи плътността на транзисторите, става ясно от презентацията на Келехер.
Дизайнът на транзистора CFET се състои в подреждане на полупроводникови елементи от n-тип (pFET) и p-тип (pFET) един до друг. В момента се разглеждат два варианта на CFET транзистори – монолитни и последователни. Вторият вариант има по-висок и по-широк дизайн.
Кой вариант ще избере Intel в крайна сметка не е известно. И едва ли ще стане ясно скоро, тъй като Imec вярва, че CFET транзисторите ще се появят на пазара не по-рано от момента, в който процесът за производство на чипове не бъде намален до ниво от 5 ангстрьома, което се очаква да стане не по-рано от 2032 г.
Но Intel може да стигне до пускането на нови транзистори много по-рано. Възможно е компанията да започне да използва разклонени GAA транзистори, преди да премине към CFET, но вероятно не е готова да сподели информация за това.