Toshiba предлага нов тип кеш, наречен MRAM или по-точно STT-MRAM – магниторезистивна памет с произволен достъп
Нова MRAM памет на Toshiba подобрява значително ефективността на процесора. Японската компания твърди, че MRAM намалява с 60% консумацията на енергия от CPU-то.
MRAM може да се използва като кеш памет вместо сегашната SRAM, която зависи от захранването. Повече вграден кеш означава и по-бърз процесор, тъй като в тази памет се съхранява най-необходимата информация.
Обикновено кешът, независимо дали от първо, второ или трето ниво (L1, L2, L3) е направен от SRAM памет, която губи съдържанието си когато бъде изключен компютърът или по друга причина отпадне захранването на процесора.
Toshiba предлага нов тип кеш, наречен MRAM или по-точно STT-MRAM – магниторезистивна памет с произволен достъп. По същество, магнитни елементи се използват за съхранение на битове информация, а промяната става чрез въздействие върху електроните.
Експерименти с MRAM се провеждат отдавна, но проблем досега беше ниската й скорост, която можеше да се подобри само за сметка на енергийната ефективност. За да реши този проблем, Toshiba е създала нова структура, имитираща някои DRAM и SRAM елементи, но без да губи енергия.
Резултатът е L2 кеш памет MRAM с намалена до 80% консумация на енергия. Това води до редуциране с до 60% на консумацията на процесора. Подобна памет е добре дошла за AMD и нейните процесори APU, които разчитат на L2 кеш и нямат L3, както е при Intel.
Според Toshiba, новата MRAM памет има скоростни характеристики, близки до SRAM – четене за 4,1 наносекунди и запис за 2,1 наносекунди. Възможно е MRAM да замени всички типове памет в компютъра, вкл. оперативната DRAM и SSD кеша – Toshiba вярва в тази перспектива.
Да така е. Има и други памети, които са на магнитен принцип като FRAM. Описанието:
> “магнитни елементи се използват за съхранение на битове информация, а промяната става чрез въздействие върху електроните”
се отнася и за MRAM и за FRAM. Разликата е в спицификата на технологията. Тъй като тя не е спомената, то по-добре беше това обяснение да бъде пропуснато (а вместо това примерно да се даваше на английски в скоби какво означава съкращението MRAM).
Чудесна новина!
Нека да има повече добри новини!
Харесва ми и следя вашия сайт и ще помоля нека да бъде с една корекция MRAM ДА СЕ пише магниторезистивна памет, а НЕ магнитоустойчива! Има огромна разлика магниторезистивна памет това е памет в която за съхраняването на информация се използва запазване на магнитния момент вместо електрически заряд както е при сегашните памети. Магнитоустойчива памет се разбира памет която е със защита на информацията от въздействието на външни магнитни полета.
Има различни технологии за MRAM и това е един от видовете STT – spin transfer torque.
Браво. Дано има успех.