Революция в SSD устройствата още тази година

Бъдещите полупроводникови дискове Optane на Intel ще използват фазова памет 3D XPoint, която има огромни предимства спрямо NAND флаш паметта (илюстрация: Intel)

Intel обещава истинска революция в полупроводниковите дискове, или т.нар. SSD. Към края на годината компанията ще пусне устройства с нов тип памет, която е 1000 пъти по-бърза от NAND флаш паметта и още толкова по-дълготрайна от нея.

Optane стъпва на технология за памети 3D XPoint, представена съвместно от Intel и Micron Technology през юли 2015 г. Двете компании твърдят, че 3D XPoint работи на 1000 пъти по-висока скорост и освен това е 1000 пъти по-издръжлива от NAND флаш паметта в съвременната електроника. Нещо повече, паметта 3D XPoint има 10 пъти по-голяма плътност в сравнение с днешните компютърни памети.

Вместо да използва транзистори, както NAND, паметта 3D XPoint се състои от клетки с материал, който променя своите физически свойства, когато през него преминава електрически ток. Подобна памет е известна като фазова. Тя е енергонезависима, както и флаш паметта, но е по-бърза от NAND и по-евтина за производство от DRAM, която е масовата оперативна памет.

Устройствата Optane ще работят по протокол NVMe, на шина PCI Express 3 с четири линии. Новите SSD са предназначени както за потребителския, така и за корпоративния сегмент, според тайванския сайт benchlife.info, който разполага с фирмена презентация на Intel.

Потребителските SSD ще носят кодово име Mansion Beach, а корпоративните – Stony Beach. През първото тримесечие на 2017 г. Intel планира да пусне SSD устройства Brighton Beach с поддръжка на PCI Express 3 с две линии.

Към средата на следващата година компанията ще обнови Mansion Beach и същевременно ще въведе ново поколение корпоративни Optane дискове с кодово име Carson Beach. Тези устройства ще се произвеждат с форм-фактор BGA, в допълнение към M.2. Засега няма яснота в какъв формат ще бъдат потребителските устройства.

За първи път технологията за фазова памет бе описана от Гордън Мур, един от основателите на Intel, през 1970 г. в списание Electronics. Преди осем години компанията пусна тестови образци на устройства за съхранение с фазова памет.

В тази област работи и IBM, която наскоро съобщи, че е направила пробив, съхранявайки три бита информация в една клетка – това означава по-евтино производство и по-бърза комерсиализация на фазовата памет.