TechNews.bg
АктуалноНовини

Революция в SSD устройствата още тази година

Полупроводникови дискове Optane ще използват фазова памет 3D XPoint, която има огромни предимства спрямо NAND флаш паметите (илюстрация: Intel)
Бъдещите полупроводникови дискове Optane на Intel ще използват фазова памет 3D XPoint, която има огромни предимства спрямо NAND флаш паметта (илюстрация: Intel)

Intel обещава истинска революция в полупроводниковите дискове, или т.нар. SSD. Към края на годината компанията ще пусне устройства с нов тип памет, която е 1000 пъти по-бърза от NAND флаш паметта и още толкова по-дълготрайна от нея.

Optane стъпва на технология за памети 3D XPoint, представена съвместно от Intel и Micron Technology през юли 2015 г. Двете компании твърдят, че 3D XPoint работи на 1000 пъти по-висока скорост и освен това е 1000 пъти по-издръжлива от NAND флаш паметта в съвременната електроника. Нещо повече, паметта 3D XPoint има 10 пъти по-голяма плътност в сравнение с днешните компютърни памети.

Вместо да използва транзистори, както NAND, паметта 3D XPoint се състои от клетки с материал, който променя своите физически свойства, когато през него преминава електрически ток. Подобна памет е известна като фазова. Тя е енергонезависима, както и флаш паметта, но е по-бърза от NAND и по-евтина за производство от DRAM, която е масовата оперативна памет.

Устройствата Optane ще работят по протокол NVMe, на шина PCI Express 3 с четири линии. Новите SSD са предназначени както за потребителския, така и за корпоративния сегмент, според тайванския сайт benchlife.info, който разполага с фирмена презентация на Intel.

[related-posts]

Потребителските SSD ще носят кодово име Mansion Beach, а корпоративните – Stony Beach. През първото тримесечие на 2017 г. Intel планира да пусне SSD устройства Brighton Beach с поддръжка на PCI Express 3 с две линии.

Към средата на следващата година компанията ще обнови Mansion Beach и същевременно ще въведе ново поколение корпоративни Optane дискове с кодово име Carson Beach. Тези устройства ще се произвеждат с форм-фактор BGA, в допълнение към M.2. Засега няма яснота в какъв формат ще бъдат потребителските устройства.

За първи път технологията за фазова памет бе описана от Гордън Мур, един от основателите на Intel, през 1970 г. в списание Electronics. Преди осем години компанията пусна тестови образци на устройства за съхранение с фазова памет.

В тази област работи и IBM, която наскоро съобщи, че е направила пробив, съхранявайки три бита информация в една клетка – това означава по-евтино производство и по-бърза комерсиализация на фазовата памет.

още от категорията

Softbank залага 2 милиарда долара на бъдещето на Intel

TechNews.bg

Най-малкият SSD се побира на показалеца, но съхранява терабайти

TechNews.bg

Intel може да стане частична собственост на държавата

TechNews.bg

Масивен 256TB SSD ще захранва следващото поколение AI

TechNews.bg

Тръмп иска оставката на шефа на Intel, имал връзки с Китай

TechNews.bg

Fitch понижи кредитния рейтинг на Intel

TechNews.bg

3 коментара

Sitalk 18/06/2016 at 09:10

Не се надявайте скоро да си го купите щом сравняват цената му с DRAM.

Отговор
Боян Атанасов 16/06/2016 at 23:19

Memristor…
Crossbar Technology…
2nm на елемент при сегашните около 14nm…
Не само за SSD, но и за CPU cash в порядака на TB-ти.
И не свършва до тук…
Като “всичко в едно” чипове… CPU+Memory (всички видове).
Memristor-а може да бъде ползван като… резистор (променлив), транзистор, индуктор…
Дойде време PC архитектурата да замине в склада…

Отговор
Станислав 15/06/2016 at 21:59

Ще повярвам когато го видя

Отговор

Коментари