Пилотното производство на 2-нанометрови чипове ще започне през 2023 г.
(снимка: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited)
Тайванският чипмейкър TSMC разработи напълно функционална верига за производство на транзистори по технология GAAFET. Това е истински пробив в областта на полупроводниците, а TSMC за първи път в света ще може да произвежда чипове по нов 2-нанометров технологичен процес.
Според предварителните прогнози, TSMC ще започне пилотно производство по 2-нанометрови стандарти между 2023 и 2024 г. Това ще бъде предшествано от прехода на компанията към 3 нанометра – тестовото производство по тази технология трябва да започне през първата половина на 2021 г., а масовото производство – през втората половина на 2022 г.
Успоредно с това TSMC разработва 4-нанометрова топология, съобщи Gizchina. Компанията смята да пусне производство по тази технология през 2023 година.
Под съкращението GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) се крие полеви транзистор с хоризонтално разположени канали и кръгъл гейт. Тази технология ще замени използваната понастоящем FinFET, при която полевият транзистор е от тип перка с вертикално подредени канали.
Една от характеристиките на GAAFET е, че гейтът в такива транзистори обгражда канала от всички страни, докато при FinFET го заобикаля в три от четирите страни, което води до увеличаване на утечките на ток. При GAAFET няма такъв проблем.
През април 2020 г. TSMC обяви, че няма да изостави FinFET при преминаване към 3 нанометра. Това би позволило на компанията да направи прехода от сегашните 7 и 5 нм на по-ниска цена. По-късно TSMC реши да не се придържа към този план, тъй като именно FinFET може да се превърне в „тясно място” при разработката на съвременни чипове.