Китайски чипмейкъри преодоляват 10-нм бариера

Китайските производители на чипове Semiconductor Manufacturing International (SMIC) и Huali Microelectronics се подготвят за преход към 10-нанометрови и по-тънки технологични процеси, съобщи Digitimes.

Твърди се, че SMIC вече е поръчала на ASML доставка на комплект оборудване за литография в ултравиолетовия диапазон EUV на стойност 120 млн. долара. Най-големият китайски чипмейкър планира рисково производство по 14-нм технология FinFET през първата половина на 2019 г. и преход към EUV при усвояване на 7-нм процес.

Очаква се SMIC да получи оборудването в началото на 2020 г., което ще позволи на компанията да пристъпи към практическа реализация на плановете си. Тази година SMIC ще увеличи капиталовите си инвестиции от 1,9 до 2,3 млрд. долара, за да ускори R&D дейностите, да купи оборудване и да разшири производствените си мощности.

Huali пък внедри система за имерсионна литография ASW Twinscan NXT: 1980Di в новия си завод FAB6, проектиран за силициеви пластини с диаметър 300 мм. Модерното оборудване ще се използва за производство на чипове по 14-нм технология FinFET. Планираната производителност на FAB6 е 40 000 пластини на месец.

Huali ще вложи във FAB6 над 6 млрд. долара, а пилотното производство трябва да започне към края на годината. Заводът ще бълва чипове по 28-нм, 14-нм и по-тънки технологични процеси.

Освен това компанията Yangtze Memory Technologies (YMTC), собственост на държавната корпорация Tsinghua Unigroup, планира да построи три завода за производство на флаш памети 3D NAND. Сумарната стойност на проекта възлиза на 24 млрд. долара.

В първия от трите завода вече е инсталирана система за имерсионна литография с дължина на вълната на източника 193 нм. Предприятието ще произвежда чипове по 20-нм и 14-нм технологичен процес.

Коментар