Вграден лазер ускорява работата на транзистора

Вграждането на лазер в транзисторите може да има зашеметяващ ефект върху скоростта на работа на електрониката и консумацията на енергия

Учени от университета Пърдю, щата Индиана предлагат интересен начин за подобряване на структурата на субмикронния полеви транзистор чрез вграждане в него на полупроводников лазер.

Очаква се новата хибридна структура да даде зашеметяващ ефект във вид на намаляване на консумацията на енергия от транзистора с наноразмери и повишаване на производителността чрез увеличаване на скоростта на превключване.

В иновативната разработка учените използват квантово-каскаден лазер. Този тип полупроводников лазер се възползва от ефекта на предаване на електрони между слоевете на полупроводниковата хетероструктура. С други думи, транзисторът е „естествена среда” за работата на квантово-каскадния лазер, пише HPCwire.

Освен това в транзистора е вградена сложна система за превключване на състоянията на транзистора, за която обаче липсват подробности към момента.

Лазерът и „комутиращата” система са предназначени да решат фундаментален проблем при транзисторите. За да се намали консумацията и същевременно да се увеличи скоростта на превключване на транзисторите при намаляване на технологичните норми, е необходимо снижаване на захранващото напрежение до прагови стойности.

Освен това е крайно желателно да се намали самият праг на превключване, но при обикновени условия този праг не може да се свали под определена стойност. Именно с вграждане на квантово-каскадният лазер учените успяват да преодолеят тези ограничения.

Коментари по темата: „Вграден лазер ускорява работата на транзистора”

добавете коментар...

  1. enjener

    полупроводникова хетеросексуалност – един път дава и пуска , друг път не дава ..туй “нящо”
    отдавна го има бре “ЖЕНА” се казва

  2. :-)

    Тази година полупроводникова хетероструктура
    догодина цялопроводникава хомоструктура

  3. програмист

    кпд на лазерите е 1% откъде тази енергиина ефективност ?

  4. ibm

    полупроводниковата хетероструктура

Коментар