Учени от университета Пърдю, щата Индиана предлагат интересен начин за подобряване на структурата на субмикронния полеви транзистор чрез вграждане в него на полупроводников лазер.
Очаква се новата хибридна структура да даде зашеметяващ ефект във вид на намаляване на консумацията на енергия от транзистора с наноразмери и повишаване на производителността чрез увеличаване на скоростта на превключване.
В иновативната разработка учените използват квантово-каскаден лазер. Този тип полупроводников лазер се възползва от ефекта на предаване на електрони между слоевете на полупроводниковата хетероструктура. С други думи, транзисторът е „естествена среда” за работата на квантово-каскадния лазер, пише HPCwire.
Освен това в транзистора е вградена сложна система за превключване на състоянията на транзистора, за която обаче липсват подробности към момента.
Лазерът и „комутиращата” система са предназначени да решат фундаментален проблем при транзисторите. За да се намали консумацията и същевременно да се увеличи скоростта на превключване на транзисторите при намаляване на технологичните норми, е необходимо снижаване на захранващото напрежение до прагови стойности.
Освен това е крайно желателно да се намали самият праг на превключване, но при обикновени условия този праг не може да се свали под определена стойност. Именно с вграждане на квантово-каскадният лазер учените успяват да преодолеят тези ограничения.
полупроводникова хетеросексуалност – един път дава и пуска , друг път не дава ..туй “нящо”
отдавна го има бре “ЖЕНА” се казва
Тази година полупроводникова хетероструктура
догодина цялопроводникава хомоструктура
кпд на лазерите е 1% откъде тази енергиина ефективност ?
полупроводниковата хетероструктура