(снимка: Samsung)
Бизнесът на Samsung с производство на чипове по договор се сблъсква с трудности при привличане на клиенти за новите 3- и 4-нанометрови технологични процеси. Въпреки това предизвикателство, корейската компания напредва с разработването на още по-напреднали технологии, включително 2-нм процес.
Новият 2-нм процес ще използва следващо поколение на технологията за транзистори GAA (Gate All Around), която се очаква да влезе в масово производство през 2025 г. Samsung ще демонстрира технологията на предстоящите индустриални конференции.
[related-posts]
GAA е нов транзисторен дизайн, който подобрява ефективността и производителността, като позволява по-добър токов поток. Samsung за първи път въведе технологията GAA в своя 3-нм процес, но досега само неговите собствени процесори Exynos се възползват от нея.
В сравнение с 5-нм чипове, първото поколение 3-нм GAA чипове предлагат значителни подобрения в намаляването на площта, увеличаване на производителността и енергийната ефективност, отбелязва IT Home.
(снимка: Samsung / YouTube)
Гледайки напред, Samsung планира да произвежда масово чипове, използвайки второ поколение 3-нм GAA технология по-късно през 2024 г. Тази технология ще донесе още по-голям напредък в полупроводниковата индустрия.
TSMC, основният конкурент на Samsung в производството на чипове по договор, все още не е възприел технологията GAA, но се очаква тайванците и Intel да започнат да я използват в предстоящите си 2-нм процеси.
1 коментар
Наближава се практическия минимум на размер на транзистор в кристална решетка. А и не знам какъв е смисъла да се инвестира толкова в каквото и да е по-малко от 5-6 нанометра. Проблемът на днешните устройства вече не е размера или производителността. Дори с минимална софтуерна оптимизация, текущия хардуер може да си вдигне производителността.