Международен екип от учени разработи революционна технология за безконтактно наблюдение на работещи електронни чипове. Това е вид „рентгеново зрение“ за електроника, което позволява наблюдение на вътрешните процеси в полупроводниците без физическа намеса, разглобяване или изключване на устройството.
Същността на откритието, дело на учени от Университета в Аделаида (Австралия), Virginia Diodes (САЩ), Института Хасо Платнер и Университета в Потсдам (Германия) е, че за първи успешно са проследени микроскопични движения на електрически заряд вътре в напълно опаковани полупроводникови устройства (диоди, транзистори и други компоненти) в реално време.
Учените са използвали терахерцови вълни. Това безопасно, нейонизиращо лъчение прониква в корпуса на чипа и записва промените в електрическата активност – нещо, което преди се смяташе за практически невъзможно без методи за деструктивен анализ.
Техниката се основава на комбиниране на терахерцово лъчение с високочувствителен хомодинен квадратурен приемник. Този дизайн потиска фоновия шум и изолира изключително слабите сигнали, генерирани от движението на заряда в активните области на полупроводника.
Разделителната способност на метода позволява наблюдение в мащаби, значително по-малки от терахерцовата дължина на вълната, което го прави приложим дори за съвременни, високо интегрирани чипове.
Новата технология предлага значителен потенциал в енергийната, отбранителната, аерокосмическата индустрии и киберсигурността. При тези случаи е необходима надеждна проверка на целостта и производителността на електрониката без деструктивен анализ.
Технологията би могла да се превърне в основа за създаване на системи с автономна диагностика и значително да ускори разработването и проверката на нови полупроводникови устройства.
Прави впечатление обаче, че няма вградени механизми против злонамерено „надничане“, за да се предпази техниката от този „рентгенов поглед“. А това отваря нов път за атаки от киберпрестъпници – и представлява сериозна заплаха.
