Обединение на три водещи компании в разработката на чипове обяви готовност с технологичен процес, който ще позволи за първи път 5-нанометрово производство. По новата технология на Research Alliance, зад който стоят IBM, Globalfoundries и Samsung, ще се изготвят транзистори с нанослоеве от силиций.
Изминаха две години, откакто IBM създаде първия 7-нанометров чип. Новият транзистор, за който съобщава IBM Reserach, представлява наноструктура. За разлика от обикновените транзистори FinFET, 5-нанометровият транзистор има затвор от няколко силициеви нанолиста.
В сравнение с 10-нм технология, новият процес може да увеличи производителността с 40% при същата консумация на енергия или да намали консумацията със 75% при запазване на производителността.
Разработчиците от трите компании вече са тествали на практика работоспособността на технологията. По думите им, появата на 5-нанометрови чипове е въпрос на близко бъдеще.
[related-posts]
След като комерсиализира 7-нм технологичен процес, Globalfoundries планира да усвои 5-те нанометра още през 2018 г. Новата технология предвижда използване на литография в екстремния улравиолетов диапазон (EUV).
