Британски учени са на път да създадат мечтаната универсална памет
(снимка: CC0 Public Domain)
Изобретение на физици от университета Ланкастър (Великобритания) обещава да реши проблема с липсата на универсалната памет – т.е. памет, която да е достатъчно бърза и същевременно енергийнонезависима.
През юни миналата година сп. Nature публикува статия за научна разработка на нов тип памет, която съчетана предимствата на DRAM в скоростта и на NAND в енергийната независимост. Описаната клетка памет използва квантовите свойства на електрона – поради вълновия му характер, той може да се тунелира през забранена бариера. За целта електронът трябва да има определено количество „резонансна” енергия.
Когато към клетката се приложи малък потенциал – до 2,6 V, електроните започват да тунелират през трислойна бариера от индиев арсенид и алуминиеви антимонидни материали (InAs/AlSb). При нормални условия тази бариера предотвратява преминаването на електроните и ги задържа в клетката, без подаване на енергия, което позволява съхраняване на стойността, записана в клетката, за дълго време.
В януарския брой на сп. „IEEE Transaction on Electron Devices” изследователите разкриват, че са успели да създадат надеждни схеми за четене на данни от такива клетки и да комбинират клетките в масиви памет. Физиците откриват, че „рязкостта на преходните бариери” създава предпоставки за създаване на много плътни масиви от клетки.
В процеса на симулация за 20-нм технология става ясно, че енергийната ефективност на предлаганите клетки памет може да бъде 100 пъти по-добра от тази на DRAM. В същото време скоростта на новата ULTRARAM памет, както я наричат учените, е сравнима със скоростта на DRAM – в рамките на 10 наносекунди.
В момента учените се занимават с проектиране на ULTRARAM масиви и прехвърляне на решението върху силиций. Започнал е и етапът на проектиране на логически възли за запис и четене на данни от клетките. Учените са регистрирали и запазена марка, за да обозначат новата памет.