(снимка: Sammobile)
Пробив в дизайна на полупроводниковите чипове обявиха две от водещите технологични компании. На конференцията IEDM в Сан Франциско IBM и Samsung разкриха нов метод за вертикално подреждане на транзисторите, който осигурява по-висока производителност и подобрена енергийна ефективност.
Настоящите методи се свеждат до хоризонтално поставяне на транзисторите, докато новата технология на IBM и Samsung позволява вертикално поставяне, съобщи Sammobile. Токът също ще тече вертикално. Така ще се заобиколят ограниченията на производителността на Закона на Мур и освен това ще се пести енергия.
[related-posts]
Новата технология се нарича VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors). Очаква се тя да осигури двойно по-висока производителност и 85% по-добра енергийна ефективност в сравнение с FinFET чиповете.
Някои енергоемки задачи като крипто-копаенето могат да станат изключително енергийно-ефективни, което ще доведе и до по-малко въздействие върху околната среда.
IBM и Samsung все още не са обявили кога ще видим новата VTFET технология реализирана в търговски продукти. Конкурентни фирми също работят по нови чип дизайни. Intel, в частност, планира да пусне на пазара усъвършенствани чипове под марката „Intel 20A” до края на 2024 г.
