NRAM памет от нанотръби идва с редица предимства

Принципът на NRAM паметите се основава на позициониране на въглеродни нанотръби

Японската компания Fujitsu ще започне през следващата година производство на енергонезависими NRAM памети, базирани на въглеродни нанотръби, съобщи специализираният източник ServeTheHome.com.

С изследвания в областта на NRAM, или Nano-RAM, отдавна се занимава американската компания Nantero. Но преди две години лицензи за комерсиална дейност с NRAM памети придобиха японските производители Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor.

Принципът на NRAM паметите се основава на позициониране на въглеродни нанотръби. Ключовият слой в клетката е масив от стотици нанотръби, преплетени произволно.

Едната стойност на управляващото напрежение деформира нанотръбите, при което възниква проводяща верига, а другата стойност предизвиква обратна деформация, прекъсвайки веригата. Използването на този механизъм като памет е възможно, благодарение на факта, че и в двете състояния нанотръбите са стабилни.

Сред предимствата на NRAM специалистите изтъкват енергийната независимост, високата скорост на достъп, дълготрайността и ниската консумация на енергия по време на операциите за четене и запис. Освен това теоретично малкият размер на нанотръбите позволява постигане на висока плътност при съхранение на данни.

Първоначалните планове на Fujitsu предвиждат NRAM паметите да се произвеждат по 55-нанометра технология, а на по-късен компанията ще премине към 40-нанометров процес. Не се очаква NRAM бързо да се наложи като масова памет, предвид времето, необходимо за разработване на пазара и оптимизиране на производството.