Сама по себе си плътността на транзисторите в чипа не гарантира пазарния му успех
(снимка: CC0 Public Domain)
Надпреварата за по-малко нанометри в производството на чипове повдига не без основание въпроса доколко коректно е сравнението по този показател на технологиите на Intel, TSMC, Samsung и останалите чипмейкъри.
Експертните анализи сочат, че цифровото обозначение не винаги позволява адекватно да се преценят геометричните характеристики на транзисторите. Intel твърди, че 7-нм процес на TSMC е еквивалент на нейния 10-нм процес. Това може да е вярно по отношение на техническите спецификации, но Intel все още не е надминал TSMC.
На няколко пъти Samsung обяви, че изпреварва TSMC в усвояването на по-модерни технологични процеси, но корейският чипмейкър не успя да си осигури ключови клиенти за тях. Изводът е, че обявяването на по-напреднали технологични процеси спрямо конкурентите не означава непременно успех. Нивата на годно производство, партньорствата с доставчици и съвместната разработка играят по-важна роля.
При 10-нм процес TSMC постига силициева плътност от 53 милиона транзистора на квадратен милиметър, докато Samsung постига 52 милиона, т.е. почти същия резултат, отбелязва DigiTimes. Но 10-нм процес на Intel има плътност от 106 милиона транзистора на квадратен милиметър, което е по-добро постижение дори от 97-те милиона транзистора при 7-нм на TSMC и 95-те милиона при 7-нм на Samsung.
Но въпреки това Intel не спечели клиенти с по-добрите параметри на своята технология. Основният въпрос всъщност е нивото на добив при обемно производство и доверието на клиентите. 7-нанометровата технология на Intel поставя висок стандарт от 180 милиона транзистора на квадратен милиметър, но това е само еталон за високотехнологичния сектор, което не значи, че е икономически изгоден.
TSMC изглежда излиза все по-напред спрямо Samsung със своя 5-нм процес, постигащ плътност от 173 милиона транзистора. Това е сравнимо с плътността от 180 милиона транзистора при 7-нм процес на Intel и надвишава плътността от 170 милиона транзистора при 3-нм процес на Samsung.
Сама по себе си плътността на транзисторите не гарантира пазарния успех на един профилен продукт. Достатъчно е да си припомним многострадалната 10-нм технология на Intel, която повиши плътността на транзисторите до 106 милиона броя на квадратен милиметър срещу 52-53 милиона при конкурентите, но развитието на този етап от литографията отне няколко години и струва на компанията значителни разходи.
В същото време TSMC първа внедри широко EUV оборудването в своите производствени линии. Повече от половината от EUV машините, произведени в световен мащаб, се използват именно от TSMC, а компанията е отговорна за над 70% от глобалното производство на чипове.
TSMC не само се радва на висок марж на печалба, но на практика натрупа и много практически опит в контрола и подобряването на проблема с праха върху EUV маските. Това позволи на тайванския чипмейкър да заеме 55% дял пазара за производство на чипове по договор и да генерира над 80% от световните приходи в сегмента.
Мисля че те тресе шизофренията защото май си вярваш.
С тия 500 фермана където изписа само с фантазии за това колко си умен и без да кажеш нищо много работи можеше да се обяснят ама нямаш капацитет.
Apple A9 Samsung 96мм 0.8v – По бавен лаком и топъл процесор.
Apple A9 tsmc 104мм 0.75v по икономичен и по бърз процесор.
ДА показваш своето силно афектирано поведение на профан и футболен запаляпко. Станиславе не те знам имаш ли някакво образование или със средното си или дървен филосов или с детска педагогика. Физически не мога тук да ти запълня вакуума и празнотите в разбирането на тази сложна материя за специалисти.
Завършил съм престижен Технически университе в Германия, работя за Американкки компании имам и патенти. Уважавам инженерите колеги в България и техният нелек дори тежък живот. В тези коментари тук няма как цялата пълнота да се представят нещата необходимо една поредица от публикации на достъпен език за хората без инженерна специалност, а не просто коментари и спор с комлексиран интернет фен – Станислав.
Пак се изложихте господин инжИнер 🙁
Аз ви сравнявам две 100% еднакви ARM(risc) базирани ядра произведени по различен процес и дори 100% еднакъв процесор с примера на Епъл, вие къде се отпелснахте да обяснявате за RISK и CISK ? Май решихте да покажете че сте прочели няколко думички в уикипедия и искате да ги вкарате в употреба въпреки че нямате представа какво означават ?
Целия ви пост е стена от текст без да сте казал нищо.
Самото намесване на RISK и CISK в разговора е доказателство че точно вие сте жертва на това измамно чувство за разбиране на нещата предоставено ви любезно от споменатите от вас маркетолози. Успели сте с доста усилия да разберете една найстина важна характеристика поради елелементарността и за за схващане – MTr/mm² но всичко е приключило до там. За съжаление живота не се изчерпва с нея а и нямате възможност да прогледнете отвъд и самото споменане че нещата не са толкова ограничени колкото си мислите ви накърнява чувството на голям много разибращ инженер и избива на агресия.
Найстина доста добре сте се описал, само се надявам да не сте найстина инжинер защото това говори доста зле за нивото на българските инжинери.
Станиславe, като не си инженер, нямаш знаниятия нито уменията, нито няма как да работиш в този браш – много зле си с електрониката и микропроцесорната техника и продължаваш да си пишеш неверните твърдения базирайки се на новинарски маркетингови постове.
Човек когато е специалист и експерт в областта си е длъжен да реагира и да коригира неверните твърдения и публикации. Няма лошо фенове и ентусиасти и аматьори да се интересуват и следят лошото са неверните неща с които засипват интернет хора не-специалисти придобили самочувствие измамно за това, че имат някакви знания единствено четейки новинарски сайтаве е трагико комедия.
Явно не правиш никаква разлика между архитектура и производствен процес при чиповете и не си чувал за това какво е RISC и CISC, а да не говорим, че нямаш грам пониятие от физика на полупроводниците, електронните елементи, страшно си оплел в поредните маркетингови кампании и продуктови платени статии, които обикновено се пишат от маркетолози и / или любители аматьори на техника без да са никакви инженери и експерти яростно спорят като фанатизирани футболни фенове.
Същото плачевно състояние е и при публикации на тема медицина масово преписват и превеждат също и проявяват творчество с нови идеи да си добавят и свои изводи при това хора без никакво медицинско образование. Това са основните генератори на фалшиви новини и твърдения. Незнаещият Човек е хипер-активен агресор в сегашното ни информационно общество. Явно живеем в все още в тъмните векове на незнанието и надявам се да има и период на ново просвещение.
Господин инжИнер, това че 20 години настройваш преса за печат не прави мнението ти по меродавно.
Виж на Apple A9, произвеждаше се при 14нм samsung и 16нм tsmc. Въпреки съвсем реалното предимство на самсунг при плътността – 96мм срещу 104мм чипа на самсунг консумираше повече електричество и беше по топъл.
Общо взето това е като мегахерцовия мит, да в продължение на няколко десетилетия колкото по висока тактова честота е имал един процесор толкова по бърз е бил но това отдавна е в историята, същото е и с плътността на транзист само че малко по от скоро.
Европейският Съюз къде спи? Трябва да се самосезира Европейският съд да наложи санкции за измама на потребители с очевидни лъжи с обявяваните нанометри това е ИЗМАМА и престъпно и посъдимо. Солидни ГЛОБИ и предупредителни надписи навсякъде, че нанометрите НЕ СА ИСТИНСКИ.
Браво на сайта! След моят критикуващ коментар и цитати към материали на английски език в друга маркетингова статия с нанометрите сега се решиха да публикуват и тази статия тук. Хубаво е браво! Хората да четат на български и да се ограмотяват незнаещите английски език.
До Стнаниславе! Инжернер съм с над 20 години опит. Казвам ти го директно само дрънкаш глупости! Разбира се че е важна плътността и много важна !!! Явно нямаш необходимите познания или умения да четеш разбираш и анализираш информация.
Плътността на транзисторите не е най важната характеристика на производствения процес. Ако сравним 28, 20 и 16нм на tsmc
Разликата в плътността между първите два е огромна но като консумация и производителност са доста близки, при 20 и 16 е обратното, минимална разлика като плътност и огромна в производителност/ко сумация. Общо вето е по важно къде как и какво е изтънено.
Интел ако ги сравняваме със стария 7нм на плътност г/д го докарват но иначе са доста зле а 5нм е на пазара от 1 година.
Транзисторът електронен компонент за усилване, комутация и преобразуване на електрически сигнали.