Производителите на чипове влагат огромни усилия за усвояване на по-тънки процеси
(снимка: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited )
Тайванският лидер в производството на чипове TSMC планира да започне разработване на 1,4-нанометров процес, без да прекратява работата си по 2-нм технология. Задачата е възложена на инженерния екип, който преди това разработи 3-нм процес.
TSMC официално ще обяви разработката на новия процес през юни, твърди публикация на Business Korea. Очаква се компанията да започне масово производство на чипове по 3-нм стандарти през втората половина на тази година. Първите продукти, базирани на 2-нм процес, ще са готови през 2025 г. в ограничени партиди, а масовото им производство ще започне през 2026 г.
Корейският конкурент Samsung също планира да усвои 2-нм технологичен процес до 2025 г. Ако обаче TSMC разработи 1,4-нм технология, тогава Samsung няма да има друг избор, освен да последва лидера на пазара и да започне да работи в същата посока.
TSMC и Samsung отдавна си съперничат в разработката на все по-модерни производствени процеси за чипове. Според TrendForce, делът на тайванската компания по отношение на доставките на чипове е достигнал 52,1% през четвъртото тримесечие на 2021 г., докато Samsung заема 18,3% от световния пазар.
Но Samsung е амбициран да настигне своя тайвански конкурент. Тази година гигантът от Южна Корея ще започне масово производство на 3-нм чипове с нова транзисторна структура GAA, която прави транзисторите по-малки и по-бързи. Вероятно Samsung ще изпревари TSMC с въвеждането на тази технология на пазара.
Intel също изостря надпреварата, като обяви планове за разработване на 2-нм процес дори по-рано от TSMC и Samsung. Американската компания заяви, че иска да си върне титлата на водещ производител на чипове. В преследването ѝ компанията планира да започне производството на продукти, базирани на технологията Intel 18A, през втората половина на 2024 г.
Но експертите от индустрията са скептични към подобни изявления. Производителите на чипове трябва да положат невероятни усилия, за да направят още по-тънки технологичните процеси. Тъй като транзисторите се свиват по размер, тяхната форма в полупроводниковата верига трябва да бъде много по-прецизна. Технологичните бариери, които пречат за решаването на този проблем, стават все по-трудни за преодоляване.
Освен това за компаниите от полупроводниковата индустрия става все по-трудно да получат задоволителен обем висококачествени чипове на базата на нови технологични процеси в масовото производство.